特許

J-GLOBAL ID：200903071773853436

磁気抵抗素子及び磁気メモリ素子

発明者： 池田 貴司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-109572
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299517
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 強磁性層の保磁力の調整、小型化、安定性、記録密度等に優れ、高い磁気抵抗変化率を有する磁気メモリ素子等に有用な磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 第1の反強磁性層2、第1の強磁性層3、非磁性層4、第2の強磁性層5、第2の反強磁性層6が順に積層され、層2、3および層5、6がそれぞれ交換結合しており、かつ、層2、3からなる交換結合膜と、層5、6からなる交換結合膜の二つのうちどちらか一方が、反強磁性層の一方向異方性の向きと強磁性層の磁化方向とが平行であることを特徴とする磁気抵抗素子;並びにこれを用いた磁気メモリ素子。

請求項（抜粋）：

少なくとも、第1の反強磁性層、第1の強磁性層、非磁性層、第2の強磁性層、第2の反強磁性層が順に積層され、該第1の反強磁性層と該第1の強磁性層および該第2の反強磁性層と該第2の強磁性層がそれぞれ交換結合しており、かつ、該第1の強磁性層と該第1の反強磁性層からなる交換結合膜と、該第2の強磁性層と該第2の反強磁性層からなる交換結合膜の二つのうちどちらか一方が、反強磁性層の一方向異方性の向きと強磁性層の磁化方向とが平行であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 451

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 451

Fターム (1件)：

5F083FZ10