半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115182
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321403
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】温度特性が良好でかつ高出力化が実現された半導体レーザ装置を提供することである。【構成】半導体レーザ装置の端面近傍における活性層端部51,52を1層の井戸層13により形成することにより、端面での光密度を低くし、高出力化を実現する。また、半導体レーザ装置の活性層中央部53を4層の井戸層13および3層の障壁層14により形成することにより、キャリアのオーバーフローを少なくし、良好な温度特性を得る。

請求項（抜粋）：

少なくとも一方の端面での光密度が低くかつ前記端面近傍を除く領域でキャリアのオーバーフローが低減されるように活性層の前記端面近傍における厚さおよび前記活性層の前記端面近傍を除く領域における厚さをそれぞれ設定したことを特徴とする半導体レーザ装置。

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