特許

J-GLOBAL ID：200903071777494538

圧電薄膜素子およびその製造方法

発明者： 山田 朗 ,  前田 智佐子 ,  野崎 歩 ,  宮下 章志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-098484
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298131
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 伝搬する波の損失が小さく、かつ速度の速い材料を圧電薄膜に用いた、高周波帯域用の圧電薄膜素子を提供する。【解決手段】 膜厚が略1μm以下の圧電薄膜を有する圧電薄膜素子において、表面と裏面とを備えた基板と、基板の表面上に設けられた酸化シリコン等からなる支持膜と、支持膜上に設けられ、イリジウム等を主成分とする下部電極と、下部電極上に設けられ、化学式:ABOXで表される材料を主成分とする圧電薄膜と、圧電薄膜上に設けられ、アルミニウム等を主成分とする上部電極と、基板の裏面から基板を除去し圧電薄膜の下方の支持膜の裏面を露出させた凹部とを含む。

請求項（抜粋）：

膜厚が略1μm以下の圧電薄膜を有する圧電薄膜素子であって、a)表面と裏面とを備えた基板と、b)該基板の表面上に設けられ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、およびアルミニウムマグネシウム酸化物からなる群から選択される材料を主成分とする層を含む支持膜と、c)該支持膜上に設けられ、イリジウムおよび白金からなる群から選択される材料を主成分とする下部電極と、d)該下部電極上に設けられ、化学式:ABOX但し、A:カリウム、ナトリウム、およびリチウムからなる群から選択される金属元素B:タンタルおよびニオブからなる群から選択される金属元素O:酸素元素(X=3±α、α≦0.3)で表される材料を主成分とする圧電薄膜と、e)該圧電薄膜上に設けられ、アルミニウム、パラジウム、イリジウム、および白金からなる群から選択される材料を主成分とする上部電極と、f)該基板の裏面から該基板を除去し、該圧電薄膜の下方の該支持膜の裏面を露出させた凹部とを含むことを特徴とする圧電薄膜素子。

IPC (5件)：

H01L 41/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (6件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 N ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/08 C

Fターム (8件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BD03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC09