半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266287
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】多結晶シリコン電極の表面に安定した均一な凹凸を形成することが難しい。【解決手段】シリコン基板1上にシリコン酸化膜2を介して第1の多結晶シリコン膜3Aとほとんど絶縁性のない薄いシリコン酸化膜4と第2の多結晶シリコン膜3Bとを形成したのち、その表面に熱酸化膜6を形成する。次で、この熱酸化膜をエッチングしグレイン部5Aの表面を露出させたのち、第2の多結晶シリコン膜3B,シリコン酸化膜4及び第1の多結晶シリコン膜3Aをパターニングする。次でグレイン境界部に残された熱酸化膜6をマスクとして第2の多結晶シリコン膜3Bをエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して厚い第1の多結晶シリコン膜と薄い酸化膜と厚い第2の多結晶シリコン膜とを順次形成する工程と、この第2の多結晶シリコン膜上にリンを拡散したのち表面に形成されたリンガラス膜を除去する工程と、リンガラス膜が除去された前記第2の多結晶シリコン膜表面に熱酸化膜を形成する工程と、前記第2の多結晶シリコン膜のグレイン部表面の前記熱酸化膜を除去しグレイン境界部のみに残す工程と、フォトレジスト膜をマスクとしグレイン境界部に熱酸化膜を有する前記第2の多結晶シリコン膜と前記薄い酸化膜と前記第1の多結晶シリコン膜とをエッチングし多結晶シリコン電極領域を区画する工程と、前記フォトレジスト膜を除去したのちHBr又はCl2 を含む混合ガスのプラズマを用いるドライエッチング法によりグレイン境界部の前記熱酸化膜をマスクとして前記第2の多結晶シリコン膜をエッチングすると共に、前記薄い酸化膜の発光スペクトル強度の検出によりそのエッチング量を制御する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/41

FI (5件)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 21/28 301 A , H01L 21/302 E , H01L 27/04 C , H01L 29/44 Z

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