特許

J-GLOBAL ID：200903071784648486

レジスト組成物及びこれを用いた微細パターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  勝山 亜希子 ,  浦野 文良 ,  左右木 徹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  和光純薬工業株式会社
代理人 (1件)： 平井 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-249967
公開番号（公開出願番号）：特開平7-084364
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】本発明は、アルミニウム、ポリシリコン、アルミニウム-シリコン等の段差のある高反射基板上で遠紫外光、KrFエキシマレーザ光等に対して高解像性能及び高感度を維持しながら、ハレーションやノッチングを抑制出来るレジスト組成物とこれを用いた微細パターン形成方法を提供する事を目的とする。【構成】酸の作用で保護基を脱離してアルカリ可溶性となる樹脂と、露光により酸を発生する感光性化合物と、9位に特定の置換基を有するアントラセン誘導体と、これ等を溶解可能な溶剤と、から成るレジスト組成物とこれを用いた微細パターン形成方法。

請求項（抜粋）：

酸の作用で保護基を脱離してアルカリ可溶性となる樹脂と、露光により酸を発生する感光性化合物と、下記一般式〔1〕【化1】[式中、R1は下記一般式〔2〕【化2】(式中、R4は水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R5及びR6は夫々独立して炭素数1〜6のアルキル基を表し、又、R4とR5及びR5とR6は夫々互いに結合してメチレン鎖を形成していても良い。)で示される基、又は下記一般式〔3〕【化3】(式中、R7、R8及びR9は夫々独立して炭素数1〜6のアルキル基を表し、又、R8とR9は互いに結合してメチレン鎖を形成していても良い。)で示される基、又は-COOC(CH3)3を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表す。]で示されるアントラセン誘導体と、これ等を溶解可能な溶剤と、から成るレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/004 506 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569 F