特許
J-GLOBAL ID：200903071790965973
半導体集積回路装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322305
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151736
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 安定した特性を有するゲ-ト電極を提供するとともに、ゲ-ト電極を覆う絶縁膜をコンタクトの開孔時に減少されること無くゲ-トセルフアラインコンタクト(SAC)を形成する。【構成】 半導体基板1に形成されたポリシリコンからなる配線10のゲ-ト電極3の上に形成される部分には、ポリシリコン膜5が形成されているので、配線10は、この部分で厚くなっている。したがって、配線に注入される不純物がゲ-ト電極へド-プされるのが防止される。また、ポリシリコンゲ-トを有する半導体基板1にゲ-トSACを形成する際にゲ-ト電極3上に形成した絶縁膜4の上にポリシリコン膜5を形成して、この絶縁膜4がオ-バ-エッチングされるのを防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲ-ト酸化膜と、前記ゲ-ト酸化膜の上に形成された少なくとも多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を含むゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜の表面が露出するように前記半導体基板上に形成され、その厚みが前記ゲ-ト電極と前記第1の絶縁膜と前記第1の絶縁膜上に形成された多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜の厚みの合計とほぼ等しく、かつ、表面が平坦化された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜に形成され、その側壁の一部が、前記ゲ-ト電極、前記第1の絶縁膜及びこの絶縁膜上の前記多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜からなる積層体の側壁の一部であるコンタクト孔と、少なくとも多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜が前記第1の絶縁膜上の前記多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜に接し、かつ、前記第2の絶縁膜上及び前記コンタクト孔内に配置された配線とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
引用特許：
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