特許
J-GLOBAL ID:200903071791324530

ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-146314
公開番号(公開出願番号):特開平10-335531
出願日: 1997年06月04日
公開日(公表日): 1998年12月18日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 ボールグリッドアレイ型半導体装置の実装における電極断線不良の発生防止。【解決手段】 主面に半導体チップ搭載部を有し裏面にアレイ状に電極を配置したセラミック配線基板からなるパッケージ基板と、前記パッケージ基板の主面に固定された半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記配線基板の配線を電気的に接続する接続手段と、前記配線基板の主面側に設けられ前記半導体チップおよび前記接続手段等を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、前記電極上に設けられる低融点半田からなる台座層16と、前記台座層16上に固定される金属球17とを有するボールグリッドアレイ型半導体装置であって、前記電極上には前記電極の表面全体を被い周縁部分が前記パッケージ基板裏面に所定長さ延在する高融点半田からなる緩衝層14が設けられ、前記緩衝層14上に前記台座層16が設けられている。
請求項(抜粋):
主面に半導体チップ搭載部を有し裏面にアレイ状に電極を配置したセラミック配線基板からなるパッケージ基板と、前記パッケージ基板の主面に固定された半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記配線基板の配線を電気的に接続する接続手段と、前記配線基板の主面側に設けられ前記半導体チップおよび前記接続手段等を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、前記電極上に設けられる低融点半田からなる台座層と、前記台座層上に固定される金属球とを有するボールグリッドアレイ型半導体装置であって、前記電極上には前記電極の表面全体を被い周縁部分が前記パッケージ基板裏面に所定長さ延在する高融点半田からなる緩衝層が設けられ、前記緩衝層上に前記台座層が設けられていることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311
FI (2件):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S
引用特許:
審査官引用 (1件)

前のページに戻る