特許

J-GLOBAL ID：200903071794056560

高誘電率の絶縁膜を含む半導体素子及びその製造方法

発明者： 田 尚勳 ,  崔 聖圭 ,  金 ▲チャン▼雨 ,  黄 顯相 ,  韓 禎希 ,  崔 相武 ,  朴 星昊
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-007966
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203200
出願日： 2006年01月16日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】高誘電率の絶縁膜を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板にそれぞれ形成された第1及び第2不純物領域と、半導体基板上に第1及び第2不純物領域とそれぞれ接して形成され、Hfシリケート、Zrシリケート、Yシリケートまたはランタン系金属シリケートのうち少なくとも何れか一つの物質を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む高誘電率の絶縁膜を含む半導体メモリ素子。【選択図】図3D

請求項（抜粋）：

半導体メモリ素子において、 半導体基板にそれぞれ形成された第1及び第2不純物領域と、 前記半導体基板上に前記第1及び第2不純物領域とそれぞれ接して形成され、Hfシリケート、Zrシリケート、Yシリケートまたはランタン系金属シリケートのうち少なくとも何れか一つの物質を含む絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含むことを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115

FI (5件)：

H01L29/78 371 ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 C ,  H01L21/316 P ,  H01L27/10 434

Fターム (21件)：

5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD18 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083JA02 ,  5F083PR33 ,  5F101BA01 ,  5F101BA26 ,  5F101BA35 ,  5F101BA42 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BH16