特許

J-GLOBAL ID：200903071794852804

光半導体装置

発明者： 下山 峰史
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010766
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217484
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 光半導体装置に関し、作製上の原因による共振器誤差ΔLの発生を防止して、繰り返し周波数fを精度良く制御する。【解決手段】 利得導波路層4を含む円盤状の半導体積層構造1の表面に、同心円状の複数のリング状電極2,3を設けるとともに、各リング状電極2,3を複数の部分電極21 ,22 ,31 ,32 に分割し、各リング状電極2,3における部分電極21 ,22 ,31 ,32 の少なくとも一つの直下の領域を可飽和吸収領域5とする。

請求項（抜粋）：

利得導波路層を含む円盤状の半導体積層構造の表面に、同心円状の複数のリング状電極を設けるとともに、前記各リング状電極を複数の部分電極に分割し、前記各リング状電極における前記部分電極の少なくとも一つの直下の領域を可飽和吸収領域としたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 5/065 ,  G02B 6/122 ,  H01S 5/10

FI (3件)：

H01S 5/065 ,  H01S 5/10 ,  G02B 6/12 B

Fターム (11件)：

2H047MA07 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA66 ,  5F073AA89 ,  5F073AB25 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073DA22 ,  5F073DA30 ,  5F073EA14