特許
J-GLOBAL ID:200903071796586451
半導体発光装置及び照明装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-307675
公開番号(公開出願番号):特開2009-135136
出願日: 2007年11月28日
公開日(公表日): 2009年06月18日
要約:
【課題】散乱材及び/または蛍光体を含む樹脂層を備えた半導体発光装置において、半導体発光装置の端部における発光部と非発光部の輝度差が急峻である正面輝度分布を示す半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体発光装置100は、発光部を有する半導体エピタキシャル層2と、半導体エピタキシャル層2を支持し、発光部からの光を透過しない素子基板1とを有する発光素子3と、半導体エピタキシャル層2の側面及び上面を覆うように素子基板1上に設けられた、発光部からの光を波長変換する蛍光体5を含む樹脂層4を備え、樹脂層4はその一断面において上方に向けて内側に傾斜している。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発光部を有する半導体エピタキシャル層と、該半導体エピタキシャル層を支持し、該発光部からの光を透過しない素子基板とを有する発光素子と、
前記半導体エピタキシャル層の側面及び上面を覆うように前記素子基板上に設けられた、散乱材及び/または発光部からの光を波長変換する蛍光体を含む樹脂層を備え、該樹脂層はその一断面において上方に向けて内側に傾斜していることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件):
H01L 33/00
, F21S 8/12
, F21V 13/00
FI (2件):
Fターム (12件):
3K243AA00
, 3K243AC06
, 3K243CC04
, 3K243CD07
, 5F041AA06
, 5F041AA33
, 5F041CA22
, 5F041DA01
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA43
, 5F041DA57
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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