特許

J-GLOBAL ID：200903071798498886

半導体パッケージ、及びその形成方法

発明者： 中山 憲隆 ,  門馬 旬 ,  矢野 圭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070679
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274347
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 セラミックス基板の端子に形成されたバンプ電極と樹脂配線基板の端子との間の電気的接続の信頼性並びに機械的接続の強度を向上し、接続不良が防止できる電気的信頼性が高い半導体パッケージを提供する。さらに、電気的信頼性が高い半導体装置を提供する。【解決手段】 セラミックス・樹脂複合半導体パッケージにおいて、セラミックス基板21の端子21Cにバンプ電極22を形成する。バンプ電極22は鋭角な形状で形成された針形状部22Tを備える。セラミックス基板21に樹脂配線基板24を張り合わせる熱圧着により、バンプ電極22の針形状部22Tはシート状接着層23を突き破り樹脂配線基板24の端子24Cに突き刺さる。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板にシート状接着層を介在して樹脂配線基板が張り合わされた半導体パッケージにおいて、前記セラミックス基板の表面に形成された第1の端子と樹脂配線基板の表面に形成された第2の端子との間を、針形状を有するバンプ電極により電気的かつ機械的に接続したことを特徴する半導体パッケージ。

IPC (5件)：

H01L 23/10 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

H01L 23/10 Z ,  H01L 23/28 Z ,  H05K 3/46 N ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 L