特許

J-GLOBAL ID：200903071801872360

集積回路装置及びその製造方法

発明者： 野上 毅 ,  宮本 郁生 ,  小野 秀昭 ,  中野 正
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312278
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163541
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 集積回路装置におけるCu配線表面の耐酸化性、この表面から周辺へのCu拡散防止性、及び基板との密着性を、実際のLSI中のCu配線として実用上十分使用可能な程度にまで向上させる配線構造及びその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 基板上1に形成したCu配線3表面の全面、あるいは該Cu配線3表面の一部を直接Al2 O3 又はAl3 N4 4で被覆するか、Cu配線表面の全面、あるいは該Cu配線表面の一部をAl5で被覆した導体をAl2 O3 又はAl3N4 4aで被覆させて構成し、前記Al膜の成膜は選択的CVD法で行い、前記Al2 O3 又はAl3 N4 の成膜はこの選択的CVD法で成膜されたAl膜表面を酸化又は窒化させて得る。

請求項（抜粋）：

基板上にCu配線を有する集積回路装置において、前記Cu配線表面の全面、あるいは該Cu配線表面の一部を、Al2 O3 で被覆したことを特徴とする集積回路装置。