特許

J-GLOBAL ID：200903071805924314

画像形成装置

発明者： 河村 孝夫 ,  伊藤 浩
出願人/特許権者： 京セラ株式会社 ,  河村 孝夫
代理人 (1件)： 高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339382
公開番号（公開出願番号）：特開平5-040381
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明はいわゆる背面露光装置において、発光輝度の小さいELヘッドを用いた場合でも、前記光導電体層に前記露光電荷を効率よく且つ確実に捕足し、これにより該画像形成装置を電子写真装置に適用した場合に地かぶりやトナー濃度の低下が生じる事なく容易に画像鮮明化を達成し得、更には前記感光体の耐摩耗性と耐環境性を向上し、これにより経時的な画像品質の低下を防止し得る事を目的とする。【構成】 本発明は、透光性支持体上に透光性導電層とアモルファスシリコン(a-Si)系材料からなる光導電体層を積層すると共に該光導電体層と透光性導電層との境界側に、IIIa族元素若しくはVa族元素を高濃度に含有させた注入阻止層あるいは高抵抗若しくは絶縁性の注入阻止層を形成した感光体を有し、該感光体の透光性支持体側に、エレクトロルミネセンス(EL)素子群からなる露光手段を配すると共に、該露光手段の光出力を前記光導電体層に照射して露光像を生成可能に構成し、そして好ましくは前記注入阻止層がIIIa族元素を高濃度に含有したa-SiC層である事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

透光性支持体上に透光性導電層とアモルファスシリコン(a-Si)系材料からなる光導電体層を積層すると共に該光導電体層と透光性導電層との境界側にキャリア注入阻止層を形成し、前記光導電体層の表面側に高抵抗若しくは絶縁層を形成した感光体を有し、該感光体の透光性支持体側に、エレクトロルミネセンス(EL)素子群からなる露光手段を配すると共に、該露光手段の光出力を前記光導電体層に照射して露光像を生成可能に構成したことを特徴とする画像形成装置

IPC (7件)：

G03G 15/00 119 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  G03G 5/08 303 ,  G03G 5/08 333 ,  H04N 1/29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-227166
  
• 特開平2-106761
  
• 特開昭62-280773