特許

J-GLOBAL ID：200903071817114016

炭素薄膜の製造方法

発明者： 宮村 猛史 ,  北折 典之 ,  永井 智 ,  吉田 修 ,  山崎 登志夫 ,  遠藤 克巳
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-322542
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158638
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】【課題】 ECRプラズマCVD法により基材上に炭素薄膜を形成するにあたり、より基材との結着性に優れた炭素薄膜が得られる方法を提供する。【解決手段】 炭化水素系ガスを炭素源とするECRプラズマCVD法おいて、プラズマと炭化水素ガスとを、真空度が10-1Torrよりも低く、炭化水素系ガスの分圧が99%以上となる条件下で反応させる。

請求項（抜粋）：

炭化水素系ガスを炭素源とするECRプラズマCVD法により基材上に炭素薄膜を形成するに際し、プラズマと炭化水素ガスとを、真空度が10-1Torrよりも低く、炭化水素系ガスの分圧が99%以上となる条件下で反応させることを特徴とする炭素薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 B