液晶表示装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276933
公開番号（公開出願番号）：特開平7-128686
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜を形成した際に増加したゲート電極および走査線の電気抵抗を低く抑えて、高い表示品質を実現した液晶表示装置を提供する。【構成】層間絶縁膜109として、燐もしくは硼素、もしくは両者を含むSiOx 膜108bを成膜し、このSiOx 膜108bおよびゲート電極104(および図示しない走査線)に熱処理を施すことにより、透明絶縁性基板である石英基板等の上においてもゲート電極104等の電気抵抗値を10Ω/ □程度以下にまで減少させることができる。

請求項（抜粋）：

複数本の走査線と、前記走査線に交差して配置された複数本の信号線と、前記走査線および前記信号線で形成されるマトリックスの各格子ごとに配設された画素電極と、前記画素電極と前記走査線と前記信号線とに接続されて前記画素電極に印加する液晶駆動電圧のスイッチング動作を行なうスイッチング素子とを透明絶縁性基板上に備えたスイッチング素子アレイ基板と、絶縁性基板上に対向電極を備えた対向基板であって前記スイッチング素子アレイ基板の画素電極と前記対向電極との間が間隙を有して対向するように配置され周囲を封止されて前記間隙に液晶層を挟持する対向基板とを備えた液晶表示装置において、前記スイッチング素子は、前記基板上に多結晶シリコンから形成された活性層と、ゲート絶縁層と、前記走査線に接続されたゲート電極との少なくとも 3層と、該 3層を覆うように形成された層間絶縁膜とを備えた薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極および前記走査線は、高融点金属、または高融点金属シリサイド、または高融点金属シリサイドと多結晶シリコンとの積層で形成された、ゲート電極および走査線であり、前記層間絶縁膜は、燐、または硼素、または燐および硼素を含むシリコン酸化膜を用いて形成された層を少なくとも 1層含んだ単層または積層構造の層間絶縁膜であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-084539 出願人：ソニー株式会社

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