特許
J-GLOBAL ID：200903071818326920
磁電変換素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166217
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018067
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 外部信号を入出力するための端子電極を有する磁電変換素子を提供する。【構成】 本発明の磁電変換素子は、磁気抵抗効果膜に接続した短絡膜の一部が端子電極としてはたらく構成を有している。この端子電極は、多数個の磁電変換素子となる磁気抵抗効果膜が基板に形成された状態で、保護膜をマスクとして、磁気抵抗効果膜を除去することにより、電極膜の一部を露出させて形成される。したがって多数個の磁電変換素子に端子電極を同時に形成できると共に、精度よく形成できる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に断続的に形成された複数個の短絡膜と、前記磁気抵抗効果膜に接続する端子電極とを有し、前記磁気抵抗効果膜の短絡膜が形成された一方の面が樹脂層により基板に接着され、前記磁気抵抗効果膜の他方に面に保護膜が形成された磁電変換素子において、磁気抵抗効果膜の両端が削除されるとともに保護膜で被覆されないことにより、短絡膜が端子電極としてはたらくことを特徴とする磁電変換素子。
引用特許：
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