特許
J-GLOBAL ID：200903071819559570
半導体集積回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-175820
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038352
出願日： 1993年07月16日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 強入力信号時に、入力のリターンロス及び相互変調歪を悪化させることなく利得の制御を行なうことを可能にする半導体集積回路を提供する。【構成】 信号増幅用MESFET1のゲートに、バイパスコンデンサー6を介してソースがグラウンドに接地され、抵抗7を介してゲートがグラウンドに接地され、ドレイン電極-ソース電極間に抵抗2が並列に接続されたた能動MESFET8のドレインを接続し、能動MESFET8のソース電極に印加する電圧により、利得の制御を行なう。強入力信号時、利得の制御電圧をMESFET1がしきい値電圧付近で動作するように設定した場合、MESFET1の利得が下がると共に能動MESFET8がONし、入力側が能動MESFET8のチャンネル抵抗で終端され、かつ入力信号の一部がグラウンドに逃がされることにより、低利得時の入力リターンロス及び相互変調歪の悪化を防ぐことが出来る。
請求項（抜粋）：
ゲート側に入力される信号を増幅し、出力端子を介して出力する信号増幅用FETと、上記信号増幅用FETのゲートへの入力信号の強度変化に対して出力端子からの出力信号の強度が一定になるように、上記信号増幅用FETのゲートに利得制御電圧を外部から印加する利得制御電圧印加手段と、上記信号増幅用FETの入力信号の強度が所定値以上のときに動作して、入力信号の一部をグラウンド側に流通させる能動素子とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
引用特許：
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