特許
J-GLOBAL ID：200903071819725390
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279529
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121656
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【構成】シリコン基板1上にSiO2 膜2を介して下部電極用のポリシリコン膜3を形成したのち酸化し、SiO2 膜4を形成する。次でこのSiO2 膜4をエッチングしポリシリコン膜3の凸部を露出させる。次で凹部に残ったSiO2 膜4をマスクとしてポリシリコン膜3をエッチングし溝5を形成する。次にマスクを除去したのち容量絶縁膜及び上部電極を形成する。【効果】容量値の大きい容量部を有する半導体装置が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成したのちパターニングし開口部を形成する工程と、この開口部を含む全面に容量部の下部電極となる表面が凹凸状でかつ不純物を含むポリシリコン層を形成したのちパターニングする工程と、前記ポリシリコン層の表面を酸化したのちエッチバックしポリシリコン層の凸部を露出させる工程と、前記ポリシリコンの凹部に残された酸化膜をマスクとし前記露出したポリシリコン層の凸部をエッチングして溝を形成する工程と、マスクとして用いた前記酸化膜を除去したのち全面に容量絶縁膜と上部電極となるポリシリコン層を順次形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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