特許
J-GLOBAL ID：200903071819767726
イオンビームエッチングを用いたレーザー光学結晶の接合法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 桜井 周矩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215082
公開番号（公開出願番号）：特開2004-054170
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】従来の拡散接合法では、結晶に比較的大きな圧力荷重を加えるために、結晶内部に歪みを発生させ、接合後のレーザー素子としての特性に悪影響を及ぼす。また、従来の化学処理を施す直接接合法では、化学エッチングによって表面を清浄化できるが、薬品を使用することから、危険かつ生産性が悪く、また廃液の処理にコストがかかるという欠点がある。【解決手段】様々の結晶に適用することが可能なイオンビームで研磨面を真空中にてエッチング処理した後に、大気中で接触させて荷重を加えることなく加熱処理することにより、接着剤等の中間剤を用いずにエッチングのみを接合面に施してレーザー光学結晶を接合する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
接着剤等の中間剤を用いずにエッチングのみを接合面に施してレーザー光学結晶を接合することを特徴とする、イオンビームエッチングを用いたレーザー光学結晶の接合法方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
2H043AE02
, 5F072AB20
, 5F072AK04
, 5F072JJ08
