特許
J-GLOBAL ID：200903071820424549
薄膜製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287331
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160342
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【課題】 薄膜内及び界面に不純物及び物理的欠陥の発生を抑制または取り除くことができる薄膜製造方法を提供する。【解決手段】 反応チャンバにローディングされた基板の表面を特定原子で終端処理し、該基板上に第1反応物を化学吸着させる。続いて、該基板上に物理吸着した第1反応物を取り除いた後該反応チャンバに第2反応物を注入して化学吸着した第1反応物と第2反応物の化学置換または反応によって固体薄膜を形成する。これにより基板上に薄膜内及び界面に不純物及び物理的欠陥が生じなかったり少ない状態で薄膜を成長させることができる。
請求項（抜粋）：
(A)基板を反応チャンバ内にローディングさせる段階と、(B)前記反応チャンバにローディングされた基板の表面を特定原子で終端処理する段階と、(C)前記終端処理された基板が含まれた反応チャンバに第1反応物を注入して前記終端処理された基板上に第1反応物を化学吸着させる段階と、(D)前記終端処理された基板上に物理吸着した第1反応物を取り除く段階と、(E)前記第1反応物が化学吸着した基板を含む反応チャンバに第2反応物を注入して前記化学吸着した第1反応物と前記第2反応物の化学置換または反応によって固体薄膜を形成する段階とを含むことを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (4件)：
C23C 16/40
, C23C 14/06
, H01L 21/205
, H01L 21/316
C23C 16/40
, C23C 14/06 L
, H01L 21/205
, H01L 21/316 X
