特許

J-GLOBAL ID：200903071820768108

半導体素子の製造方法

発明者： 田中 陽
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004554
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190849
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板において、不純物拡散が予定される領域にCを導入し、そのCの不純物拡散抑止効果によって、不純物の必要以上の拡散を低減させる。【構成】 半導体素子の製造方法において、ソース・ドレイン領域に予めCイオンを注入し〔図1(b)参照〕、そのCイオンの注入領域にBイオンを注入し〔図1(c)参照〕、そのBイオンをCにより覆うように形成し、その後、熱処理を行なう〔図1(d)参照〕。

請求項（抜粋）：

(a)シリコン基板において不純物拡散が予定される部位に予めCイオンを注入する工程と、(b)該Cイオンの注入領域に不純物を注入し、該不純物をCにより覆うように形成する工程と、(c)その後、熱処理工程とを施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表昭60-501927
  
• 特開平3-157941
  
• 特開昭61-296712