特許
J-GLOBAL ID：200903071821069858
シリコン単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大関 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132901
公開番号（公開出願番号）：特開平5-319988
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月03日
要約：
【要約】【目的】 シリコン単結晶のインゴットの直胴部に全く転位を発生させることなく、1150°C以上の高温熱処理によって欠陥核をほとんど含まない結晶を得る。【構成】 インゴットの頭部および底部が錐状になるように単結晶を引上げ或いは加工し、該インゴットの両錐部を錐状の凹みを有する受皿で支えてインゴットを熱処理炉内においてほぼ鉛直に保持し、1150°C以上1400°C以下の高温熱処理を行い、炉内で1150°C以下の温度まで冷却することにより、引上時に導入された欠陥核をほとんど消去する。インゴット重量を支える錐部の錐角は30°以上90°以下が好ましい。また上部の受皿は水平方向固定、鉛直方向可動としてインゴットの倒れと結晶の熱膨張による応力の発生を防止する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するにあたり、シリコンインゴットの頭部および底部が錐状になるように単結晶を引上げ或いは加工し、該インゴットの両錐部を錐状の凹みを有する受け皿で支え、該インゴットを熱処理炉内においてほぼ鉛直に保持し、1150°C以上1400°C以下の温度で熱処理することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06
, C30B 15/00
, C30B 33/02
, H01L 21/208
