特許

J-GLOBAL ID：200903071822060315

薄膜電子部品

発明者： 西川 洋行
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-102684
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299158
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は、金属Ni層が薄膜素子の表面の大部分を覆っているような薄膜素子素子において、対環境性に優れた薄膜電子部品を提供する。【解決手段】基板11上に、誘電体層13と電極層12、14とを有する薄膜素子が形成された薄膜電子部品である。薄膜素子1と保護膜2の間に、薄膜素子表面層(Ni)と保護膜2の成分で構成され、それらが傾斜組成を有する中間層3が介在されている。

請求項（抜粋）：

基体上に薄膜素子を形成し、該薄膜素子を保護膜で被覆してなる薄膜電子部品であって、前記保護膜はSi3N4またはSiO2を主成分とする材料からなるとともに、前記薄膜素子と前記保護膜との間に、NiとSiより成る中間層を介在させたことを特徴とする薄膜電子部品。

IPC (2件)：

H01G 4/33 ,  H01G 4/10

FI (2件)：

H01G 4/10 ,  H01G 4/06 102

Fターム (6件)：

5E082AA01 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG42