特許

J-GLOBAL ID：200903071825369449

リフロー半田付け方法

発明者： 永田 治人 ,  末次 憲一郎 ,  鶴見 浩一 ,  福島 哲夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190439
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053645
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 電子回路基板に電子部品を無洗浄で半田付けする実装工程において、窒素雰囲気中のリフローで発生しやすいチップ立ち現象を低減することを目的とする。【構成】 溶融後にSn-Pb-Ag-Biの4元組成となるように、2種類以上の合金粉末を混合したクリーム半田を用いて窒素雰囲気でクリーム半田を加熱・溶融する方法により、クリーム半田の溶融時間が拡張され、溶融半田の瞬間的な張力がダウンするので、チップ立ち現象を防止できる。

請求項（抜粋）：

溶融後にSn-Pb-Ag-Biの4元組成になる2種類以上の合金粉末を混合したクリーム半田を用いて、窒素雰囲気中で前記クリーム半田を加熱・溶融するリフロー半田付け方法。

IPC (2件)：

H05K 3/34 ,  B23K101:42