特許

J-GLOBAL ID：200903071825581553

半導体装置の製造方法

発明者： 武田 安弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007336
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203863
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】アスペクト比の高いトレンチを高いスループットで形成する。【構成】RIE装置でエッチング用ガスにNF3 を用い、側壁保護膜15をエッチングマスクとしてシリコンウェハ6をエッチングしてトレンチ16を形成する。このとき、各開口部13a,14の内壁には側壁保護膜15が形成されているため、イオンの異方性は確保される。その結果、シリコンウェハ6に対して垂直でアスペクト比の高いトレンチ16を形成することができる。また、高周波電力を低くすれば、シリコンウェハ6に入射されるイオンの衝撃力は小さくなり、シリコンウェハ6にダメージが生じることはない。また、NF3 にはCが含まれていないため、反応生成物としてSiCが生じることはなく、SiCによってトレンチ16の素子分離特性が劣化する恐れはない。

請求項（抜粋）：

反応性イオンエッチングにおけるガス圧力および高周波電力を調整してイオンのエネルギーを調節する工程を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/76 L