特許
J-GLOBAL ID：200903071827052760
イオン打ち込み方法および半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068800
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270374
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路装置の素子特性のばらつきを抑制する。【解決手段】 斜めイオン打ち込みに先立って、イオン打ち込み角度と半導体基板の結晶軸との関係からチャネリングが生じるか否かを判定する工程(103)と、その判定結果とデバイス条件とからそのイオン打ち込み角度がそのデバイスの形成に最適か否かを判定する工程(104)とを有し、これによりそのデバイスの形成に最適なイオン打ち込み角度を決定する(105)。
請求項（抜粋）：
所定のイオンを被処理物の主面に対して斜め方向から打ち込む斜めイオン打ち込み処理に先立って、(a)前記所定のイオンの打ち込み角度と被処理物の結晶軸との関係からチャネリングが生じるか否かを判定する工程と、(b)前記チャネリングが生じるか否かの判断結果とイオン打ち込みにより形成される領域の形成条件とから前記所定のイオンの打ち込み角度が最適か否かを判定する工程と、(c)前記所定のイオンの打ち込み角度が最適となるまで、前記チャネリングが生じるか否かを判定する工程および前記所定のイオンの打ち込み角度が最適か否かを判定する工程を繰り返す工程とを有し、前記所定のイオンの打ち込み角度の最適値の結果に従って、前記所定のイオンを被処理物の主面に対して斜め方向から打ち込むことを特徴とするイオン打ち込み方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 V
, H01L 29/78 301 F
