特許
J-GLOBAL ID：200903071828196294
遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297145
公開番号（公開出願番号）：特開2001-117232
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光(波長193nm)を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、コンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、デフォーカスラチチュードに優れた遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)特定の構造の繰り返し構造単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂であり、更に、その分子鎖の少なくとも一方の末端に特定の構造式で表される基を有する樹脂、及び(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有する遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(I)及び(II)で示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂であり、更に、その分子鎖の少なくとも一方の末端に下記構造式(1)で表される基を有する樹脂、【化1】(上記一般式(I)、(II)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Wは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Ra,Rb,Rc,Rd,Reは各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。m,nは各々独立に0〜3の整数を表し、m+nは、2以上6以下である。)-X1-A1 (1)(式中、X1は-A2 -、-S-A2 -、-O-A2 -、-NH-A2 -、-NA3 -A2 -、A1はアルコキシ基、水酸基、カルボキシル基、-COO-A3 、-CONH-A3 、-CONHSO2 -A3 、-CONH2 、A2 は炭素数1〜20の2価の炭化水素基、A3 はアルキル基を示す。)及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 504
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 504
, H01L 21/30 502 R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB42
, 2H025CB43
, 2H025FA17
