特許

J-GLOBAL ID：200903071836277562

SiC単結晶の成長方法

発明者： 太田 潔 ,  古賀 和幸 ,  藤川 好晴
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-208173
公開番号（公開出願番号）：特開平5-051299
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、比較的容易に得られる6H形SiCを種結晶とし、昇華法を用いて、安定して4H形SiC単結晶を得ることを目的とする。【構成】 本発明は、6H形SiC種結晶上に酸化膜を形成した後、種結晶温度を2250〜2350°C、温度勾配を5〜20°C/cmとして、該酸化膜上に4H形SiC単結晶を昇華形成するものである。

請求項（抜粋）：

6H形SiC種結晶上に酸化膜を形成した後、種結晶温度を2250〜2350°C、温度勾配を5〜20°C/cmとして、上記酸化膜上に4H形SiC単結晶を昇華形成することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02