特許
J-GLOBAL ID：200903071838961169

半導体ウエーハの処理方法

発明者：
矢嶋 興一

矢嶋 興一 について

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北村 政彦

北村 政彦 について

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波岡 伸一

波岡 伸一 について

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南條 雅俊

南條 雅俊 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-319279
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153193
出願日： 2002年11月01日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】半導体ウエーハ(2)の裏面を研削してその厚さを著しく薄くした場合にも、半導体ウエーハを破損せしめることなく半導体ウエーハを所要とおりに取扱うことを可能にする、半導体ウエーハの処理方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハの裏面の研削に先立って、少なくとも中央領域(12)には多数の細孔(16)が形成されている保護基板(10)の片面に半導体ウエーハの表面を対向せしめて、保護基板上に半導体ウエーハを装着する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面には格子状に配列されているストリートによって多数の矩形領域が区画され、該区画の各々には回路が施されている半導体ウエーハの処理方法にして、 該半導体ウエーハの該表面を、少なくとも中央領域には多数の細孔が形成されている保護基板の片面に対向せしめて、該半導体ウエーハを該保護基板上に装着する装着工程と、 該半導体ウエーハが装着された該保護基板を研削用チャック手段上に保持し、該半導体ウエーハの露呈せしめられている裏面を研削手段によって研削する研削工程と、 該研削用チャック手段上から該保護基板を離脱せしめ、次いで該研削用チャック手段から離脱せしめた該保護基板に装着されている該半導体ウエーハの該裏面を保持手段上に貼着し、しかる後に該半導体ウエーハの該表面から該保護基板を離脱せしめる移し替え工程と、 該半導体ウエーハが装着されている該保持手段を切断用チャック手段上に保持し、該半導体ウエーハの露呈されている該表面から切断手段を作用せしめて該ストリートに沿って該半導体ウエーハを切断する切断工程と、 を含むことを特徴とする半導体ウエーハの処理方法。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  H01L21/68
FI (6件)：
H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/68 N ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 N
Fターム (10件)：
5F031CA02 ,  5F031HA12 ,  5F031HA37 ,  5F031MA22 ,  5F031MA26 ,  5F031MA37 ,  5F031MA38 ,  5F031MA39 ,  5F031PA20 ,  5F031PA30
引用特許：
審査官引用 (7件)
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