特許

J-GLOBAL ID：200903071846784322

半導体集積回路

発明者： 嶋谷 武
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029509
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228481
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の回路スペースを効果的に利用しながら、電源ノイズを吸収する効果が大きいバイパスコンデンサを作り込む。【解決手段】 半導体集積回路チップ1の裏面に導電性膜10を形成する。又、該導電性膜10を、半導体集積回路チップ1のスルーホール12を介して、半導体集積回路チップ1の基板と同電位の電源配線14に接続する。導電性膜は、基板と同電位の電源配線に低い抵抗で接続される。従って、導電性膜10による大きい静電容量のバイパスコンデンサでは、基板を従来のように用いた場合の静電容量に比べて基板抵抗の影響がなく、電源ノイズを吸収する効果が大きい。

請求項（抜粋）：

リードフレームの方形シートに、絶縁物を介して半導体集積回路チップを搭載すると共に、該半導体集積回路チップの基板とは反対電位の電源配線を前記方形シートに電気的に接続するようにした半導体集積回路において、前記半導体集積回路チップの裏面に導電性膜を形成し、該導電性膜を前記半導体集積回路チップのスルーホールを介して前記基板と同電位の電源配線に接続するようにしたことを特徴とする半導体集積回路。