薄膜形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335926
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160323
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：

【要約】【課題】マスクの開口の形状を高精度で転写した薄膜を形成するのに有利な薄膜形成方法を提供する。【解決手段】複数の開口をもつマスク3と、被成膜面6aをもつ基板6とを用い、マスク3を被成膜面6aに対面させた状態で、マスク3の開口の形状を転写するように被成膜面6aに薄膜を成膜処理する。成膜処理は、マスク3の反りや撓みを抑えるように、マスク3に張力を付与した状態で行う。マスクを2重構造にすることもできる。また磁気吸引によりマスクを基板6の被成膜面6aに密着させることもできる。有機系のEL素子における薄膜形成に利用できる。

請求項（抜粋）：

複数の開口をもつマスクと、被成膜面をもつ基体とを用い、前記マスクを前記基体の被成膜面に対面させた状態で、前記マスクの開口の形状を転写するように前記被成膜面に薄膜を成膜処理する薄膜形成方法であって、前記成膜処理は、前記マスクの反りや撓みを抑えるように前記マスクに張力を付与した状態で行うことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/04 , H05B 33/10 , H05B 33/26

FI (3件)：

C23C 14/04 A , H05B 33/10 , H05B 33/26 Z

Fターム (14件)：

3K007AB00 , 3K007BA06 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007DA00 , 3K007DA02 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 3K007FA03 , 4K029CA05 , 4K029HA02 , 4K029HA03 , 4K029HA04

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭58-031077
特開昭54-041157
特開平1-242768

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