特許

J-GLOBAL ID：200903071853402869

化合物半導体の合成方法及び太陽電池素子の製造方法

発明者： 上野 康定 ,  飯田 英世
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 窪田 法明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312968
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140655
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 大気圧下で安全、迅速簡便かつ、経済的に操作でき、原料のほとんど全部を目的とする化合物に変換でき、生成物の化学量論比を自由に調節してp型、n型のいずれの伝導型も容易に得ることができ、大量生産を展望できる化合物半導体の合成方法を提供すること。【構成】 IB族元素の金属板とIIIB族元素の金属板との間に、 VIB族元素の粉末を挟み、これらを化学的に不活性な耐熱板で押圧挟持させて加熱し、前記3元素を反応させる。

請求項（抜粋）：

IB族元素の金属板とIIIB族元素の金属板との間に、 VIB族元素の粉末を挟み、これらを化学的に不活性な耐熱板で押圧挟持させて加熱し、前記3元素を反応させることを特徴とする化合物半導体の合成方法。