特許
J-GLOBAL ID：200903071860463962
液晶表示装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283104
公開番号（公開出願番号）：特開平5-119351
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 トランジスタのチャンネル領域に対応するN+a-Si膜のエッチングを精度高くエッチングすることを目的とする。【構成】 N+a-Si膜(38)を全面に形成し、ソース電極(39)、ドレイン電極(41)およびこれと一体のドレインラインをマスクにしてエッチングし、SiNx膜(36)を検出して、このエッチングを終了する。
請求項（抜粋）：
透明な絶縁性基板上に形成された複数のゲートそれぞれと一体の複数本のゲートラインと、このゲートラインと絶縁層を介して交差するように形成された複数本のドレインラインと、前記ドレインラインと前記ゲートラインの交点の近傍に形成されこのゲートラインと一体のドレイン電極がドレイン領域に延在されたトランジスタと、このトランジスタのソース領域から延在されたソース電極と電気的に接続された表示電極とを有する液晶表示装置において、前記ドレイン電極および前記ソース電極の直下には前記トランジスタを構成する不純物がドープされた非単結晶シリコン膜が設けられ、この非単結晶シリコン膜は前記ドレイン電極およびソース電極とセルフアラインされていることを特徴とした液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 21/336
, H01L 29/784
