特許

J-GLOBAL ID：200903071862300297

半導体装置およびその製法

発明者： 五十嵐 一雅 ,  北村 富士夫 ,  長沢 徳
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-133416
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067702
出願日： 1991年05月08日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含み、(C)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の70〜85重量%に設定されたエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をトランスフアー成形により樹脂封止して半導体装置を製造する。この製造に於て、後硬化工程を省略する。(A)下記の一般式(1)で表される結晶性エポキシ樹脂。〔R1〜R4はC1〜C4のアルキル基〕(B)下記の一般式(2)で表されるフエノールアラルキル樹脂。〔mは0または正の整数〕(C)無機質充填剤。【構成】 半田実装におけるような過酷な条件下においてもパツケージクラツクを生ずることなく、優れた耐湿信頼性を備えている。しかも、封止樹脂の後硬化工程を省略するため、封止作業性の高効率化を実現できる。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含み、下記の(C)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の70〜85重量%に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表される結晶性エポキシ樹脂。【化1】(B)下記の一般式(2)で表されるフエノールアラルキル樹脂。【化2】(C)無機質充填剤。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/24 NHQ ,  C08G 59/62 NJR

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-325517