特許
J-GLOBAL ID:200903071862923774

電子放出素子、電子源基板および画像形成装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 哲也 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-134467
公開番号(公開出願番号):特開平10-312743
出願日: 1997年05月09日
公開日(公表日): 1998年11月24日
要約:
【要約】【課題】 低コストで且つ容易に大面積に膜厚の一様な素子電極を形成し均一な表面伝導型電子放出素子およびそれを有する電子源基板、画像形成装置の製造方法を提供する。【解決手段】 対向する素子電極間を連絡する導電性薄膜に電子放出部を有する電子放出素子の製造方法において、素子電極形成材料を含む溶液で構成される液滴を絶縁基板上の所定の位置に付与する工程と、該素子電極間に、導電性薄膜形成材料を含む液滴を付与する工程と、これらの液滴を同時に焼成して、素子電極および導電性薄膜を形成する工程と、該導電性薄膜の一部に電子放出部を形成する工程とを有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
請求項(抜粋):
対向する素子電極間を連絡する導電性薄膜に電子放出部を有する電子放出素子の製造方法において、素子電極形成材料を含む溶液で構成される液滴を絶縁基板上の所定の位置に付与する工程と、該素子電極間に、導電性薄膜形成材料を含む液滴を付与する工程と、これらの液滴を同時に焼成して、前記素子電極および前記導電性薄膜を形成する工程と、該導電性薄膜の一部に前記電子放出部を形成する工程とを有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (2件):
H01J 9/02 ,  B41J 2/05
FI (2件):
H01J 9/02 E ,  B41J 3/04 103 B

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