特許

J-GLOBAL ID：200903071863062861

固体表面のスパッタエッチング法

発明者： 矢野 史子 ,  奥平 秀和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053404
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263422
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】イオン線を照射することによって固体表面を構成する原子を剥離するスパッタエッチング法において、深さ方向の分析が線分析または面分析によって精度良く、かつ簡便に行えるようにするために、固体表面があらかじめ設定した表面形状になるようにスパッタエッチングする方法を提供する。【構成】固体表面をスパッタエッチングする際に、あらかじめ分析の目的に合った表面形状を設定し、その形状になるようにイオン線の走査の方向や速度を制御しながらスパッタエッチングを行い、スパッタ表面を線分析、あるいは面分析することにより精度良く、かつ簡便に深さプロファイルを測定する。

請求項（抜粋）：

イオンを照射することによって固体表面を構成する原子を剥離するスパッタエッチング法において、イオン線を走査させ、走査の方向や速度を制御しながらスパッタすることを特徴とする固体表面のスパッタエッチング法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/302 D ,  H01L 21/265 W