特許

J-GLOBAL ID：200903071863585660

気相成長装置

発明者： 中村 隆宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278502
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090179
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体結晶成長において、キャリアガス流量の変化に対し、安定した膜厚均一性を得る。【構成】 カーボンサセプター4を高周波コイル6により加熱する。V族原料ガスは、第1の原料導入口1から導入し、III族原料ガスは、第2の原料導入口2から導入する。カーボンサセプター4には、その中心から後方の導入ガスの流動方向に沿う下流側に位置をずらせて結晶基板5を設置し、薄膜を成長する。【効果】 キャリアガス流量の変化に対して安定した膜厚均一性が得られる。

請求項（抜粋）：

横型反応管の原料導入口に、上下2つに仕切られた高温側原料導入口と低温側原料導入口とを有し、反応管内に結晶基板を設置するサセプターを有する気相成長装置であって、高温側原料導入口は、V族原料を反応管内に導入するものであり、低温側原料導入口は、III族原料を反応管内に導入するものであり、サセプターは、反応管の中央下部管壁に設けられ、結晶基板を設置する基板載置部を有し、基板載置部は、サセプターの中央からキャリアガスの流動方向に対して下流側となる後方にずらせた位置に設けられたものであることを特徴とする気相成長装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  C30B 25/08 ,  C30B 25/12 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/42