特許
J-GLOBAL ID：200903071863686660
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287894
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142479
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】基板搬送室の真空度が10-7Torr以上の圧力でもアルミ合金膜を容易に加熱し流動させて開孔部を埋め込むことができるようにする。【構成】開孔部が形成されたシリコン酸化膜2で覆われたシリコン基板1にスパッタリング法によりチタニウム膜3,窒化チタニウム膜4を順次形成する。次にアルミ合金膜5をスパッタリング法により形成した後、別のプロセス室に基板を移動する。その際、アルミ合金膜5の表面にアルミナ6が薄く形成されるこのアルミナ6を除去した後、基板を400〜550°Cに加熱してアルミ合金膜5を流動させて開孔部を埋め込む。
請求項（抜粋）：
基板上の絶縁膜に設けられた素子間あるいは配線間の接続用開孔部にアルミ配線を形成するに際して、前記接続用開孔部を形成後、アルミニウムあるいはアルミニウム合金膜を形成する工程と、前記基板を加熱して前記アルミニウムあるいはアルミニウム合金膜を溶融し前記開孔部を前記アルミニウムあるいはアルミニウム合金膜で埋め込む工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記アルミニウムあるいはアルミニウム合金膜を形成する工程と前記基板を加熱する工程との間に、前記アルミニウムあるいはアルミニウム合金膜の表面に形成されたアルミナを除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
H01L 21/88 N
, H01L 21/302 G
