特許

J-GLOBAL ID：200903071865527616

半導体装置

発明者： 坂本 和久
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379721
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179153
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 ベース電極のコンタクト部にベース領域と異なる導電形の拡散領域を形成するトランジスタのオンするベース入力信号電圧を調整し得ると共に、これをデジタルトランジスタとする場合に、ベース電流を制御し得る構造のバイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 p形のベース領域12にn+形領域からなるベース電極接続部24が設けられ、さらにベース電極接続部24の周囲に、pn接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、p+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域25が設けられている。さらに、ベース電極接続部24に金属電極16aを介してポリシリコンからなる抵抗体26が接続されている。その結果、ベースにツェナーダイオードZDおよび抵抗体26が直列に内蔵された構造のバイポーラトランジスタを有している。

請求項（抜粋）：

コレクタ領域とする第1導電形半導体層と、該第1導電形半導体層に設けられる第2導電形領域からなるベース領域と、該ベース領域内に設けられる第1導電形領域からなるエミッタ領域と、前記ベース領域に設けられる第1導電形領域からなるベース電極接続部と、該ベース電極接続部の周囲に、pn接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように設けられる、第2導電形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域と、前記ベース電極接続部と電気的に接続して設けられるベース電極と、前記エミッタ領域および前記コレクタ領域にそれぞれ電気的に接続して設けられるエミッタ電極およびコレクタ電極とを含み、ベースにツェナーダイオードが直列に内蔵された構造のバイポーラトランジスタを有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 21/331 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/866

FI (4件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 29/72 P ,  H01L 29/90 D ,  H01L 29/50 B

Fターム (22件)：

4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104GG02 ,  4M104GG06 ,  4M104GG19 ,  5F003BB01 ,  5F003BB02 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ20 ,  5F082AA06 ,  5F082AA08 ,  5F082AA10 ,  5F082BA26 ,  5F082BA27 ,  5F082BA47 ,  5F082BA50 ,  5F082BC01 ,  5F082BC11 ,  5F082BC15 ,  5F082DA03 ,  5F082DA10 ,  5F082EA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ダーリントントランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247819   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-338197   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-051659
  
• 特開昭58-071655