特許
J-GLOBAL ID：200903071872417168
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142722
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335483
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】第一導電型ウエル領域と第二導電型ウエル領域とを有する相補型半導体装置において、微細化なウエル分離を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】Nウエル領域の素子分離領域105及びウエル分離領域106をパターニングし、シリコン窒化膜103及びパッド酸化膜102及び半導体基板101をエッチングする。次にPウエル領域の素子分離領域107及びウエル分離領域108をパターニングし、シリコン窒化膜及びパッド酸化膜及び半導体基板をエッチングする。NウエルのパターンとPウエルのパターンとが境界において重なっているため、ウエル境界部109にトレンチが形成される。【効果】通常のLOCOS法を用いながらも、ウエル境界部にのみ、トレンチ分離を使用できる。
請求項（抜粋）：
第一導電型ウエル領域と第二導電型ウエル領域とを有する相補型半導体装置の製造方法において、半導体基板上に耐酸化性絶縁膜を形成する工程と、第一導電型ウエル領域の素子分離領域及び第一導電型ウエル領域のウエル分離領域をパターニングする工程と、前記第一導電型ウエル領域の素子分離領域及び第一導電型ウエル領域のウエル分離領域の前記耐酸化性絶縁膜及び半導体基板をエッチングする工程と、第二導電型ウエル領域の素子分離領域及び第二導電型ウエル領域のウエル分離領域をパターニングする工程と、前記第二導電型ウエル領域の素子分離領域及び第二導電型ウエル領域のウエル分離領域の前記耐酸化性絶縁膜及び半導体基板をエッチングする工程と同時に第一導電型ウエルと第二導電型ウエルの境界に溝を形成する工程と、前記耐酸化性絶縁膜をマスクとして、素子分離絶縁膜及びウエル分離酸化膜を形成する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/76
, H01L 21/316
H01L 27/08 321 B
, H01L 21/76 M
, H01L 21/94 A
