特許

J-GLOBAL ID：200903071875371975

電圧駆動型半導体素子の故障検出方法

発明者： 丸山 宏二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241043
公開番号（公開出願番号）：特開2002-058234
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】電力変換回路を各アームに3個以上の電圧駆動型半導体素子を直列接続して構成する場合、各アームのいずれかの電圧駆動型半導体素子の素子破壊を高速に検出する方法を提供する。【解決手段】各アームが3個の電圧駆動型半導体素子の直列接続からなる場合、各直列接続された電圧駆動型半導体素子がターンオフ動作中に、印加される電圧が過電圧かどうかを過電圧判別回路OVで監視し、素子故障判別回路CVにより2個の電圧駆動型半導体素子が過電圧と判別されたときには、素子破壊が発生したとする。

請求項（抜粋）：

各アームに電圧駆動型半導体素子を3個以上直列接続してなる電力変換装置において、前記各直列接続された電圧駆動型半導体素子がターンオフ動作中に、各電圧駆動型半導体素子に印加される電圧が過電圧かどうかを判別し、前記各電圧駆動型半導体素子のうち、少なくとも2個の電圧駆動型半導体素子に印加された電圧が過電圧と判別されたときには、前記各直列接続されたいずれかの電圧駆動型半導体素子に素子破壊が発生したとすることを特徴とする電圧駆動型半導体素子の故障検出方法。

IPC (3件)：

H02M 1/00 ,  H02H 7/12 ,  H02M 7/48

FI (4件)：

H02M 1/00 J ,  H02H 7/12 E ,  H02M 7/48 Q ,  H02M 7/48 M

Fターム (29件)：

5G053AA03 ,  5G053AA09 ,  5G053BA04 ,  5G053CA02 ,  5G053DA02 ,  5G053EA07 ,  5G053EB01 ,  5G053EC03 ,  5H007AA05 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC04 ,  5H007CC06 ,  5H007CC14 ,  5H007DB03 ,  5H007DC05 ,  5H007FA01 ,  5H007FA08 ,  5H007FA13 ,  5H007FA19 ,  5H007FA20 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740BB09 ,  5H740MM03 ,  5H740MM06 ,  5H740NN17