特許
J-GLOBAL ID：200903071882920100
窒化物半導体レ-ザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105180
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082866
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体レーザ素子における光共振面の形成技術に関する問題点を解消し、活性層に悪影響を与えることなくしかも歩留まり良く光共振面を作製することができる手段を提供することを目的とする。【解決手段】 サファイア基板1の上面に少なくとも窒化物半導体層よりなるn型層3と活性層4とp型層5とが順に積層された窒化物半導体レーザ素子10において、素子用ウエハの活性層4が形成されていない領域であって活性層4に形成される光共振面の延長方向に、窒化物半導体層側からサファイア基板1内に達する第1の割溝S1を不連続状に形成し、この第1の割溝S1に沿ってウエハを割ることによって、活性層4の割れ面に光共振面を形成する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板の上面に少なくとも窒化物半導体層よりなるn型層と活性層とp型層とが順に積層された窒化物半導体レーザ素子であって、前記活性層が形成されていない領域であって前記活性層端面に形成された光共振面の延長方向に、窒化物半導体層の一部または全部が除去された割溝形成用切欠部が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 673
, H01L 33/00 C
