特許
J-GLOBAL ID:200903071886411120
試料作製方法および装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-044126
公開番号(公開出願番号):特開2000-241319
出願日: 1999年02月23日
公開日(公表日): 2000年09月08日
要約:
【要約】【課題】ウェハの表面近傍欠陥を容易に解析できる試料作製方法を提供する。【解決手段】欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。
請求項(抜粋):
ウェハの表面近傍の欠陥を検出する欠陥検出工程と、上記欠陥検出工程によって検出した表面近傍欠陥のうち、所望の欠陥の近傍に識別用のマークを施すマーキング工程を含むことを特徴とする試料作製方法。
IPC (6件):
G01N 1/28
, G01N 1/32
, G01N 21/88
, G01N 23/04
, G01N 23/225
, H01L 21/66
FI (10件):
G01N 1/28 H
, G01N 1/32 B
, G01N 23/04
, G01N 23/225
, H01L 21/66 A
, H01L 21/66 H
, G01N 1/28 F
, G01N 1/28 G
, G01N 1/28 N
, G01N 21/88 645 A
Fターム (47件):
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001BA11
, 2G001CA03
, 2G001FA06
, 2G001HA09
, 2G001JA15
, 2G001KA03
, 2G001PA03
, 2G001RA01
, 2G001RA04
, 2G001RA06
, 2G051AA51
, 2G051AB07
, 2G051BA08
, 2G051BA10
, 2G051CA02
, 2G051CA07
, 2G051CB05
, 2G051DA08
, 2G051EA14
, 2G051EB01
, 2G051EB02
, 2G051FA10
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA03
, 4M106BA05
, 4M106BA11
, 4M106CA70
, 4M106DA01
, 4M106DA05
, 4M106DA20
, 4M106DH01
, 4M106DH12
, 4M106DH24
, 4M106DH32
, 4M106DH57
, 4M106DH60
, 4M106DJ01
, 4M106DJ03
, 4M106DJ04
, 4M106DJ05
, 4M106DJ06
, 4M106DJ21
, 4M106DJ23
, 4M106DJ38
引用特許:
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