特許

J-GLOBAL ID：200903071890760635

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 木村 仁視 ,  伊東 浩二
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社 ,  株式会社秋田新電元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360882
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204232
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ポジティブベベル形状のメサ溝、及びPN接合露出部への表面処理層の形成後、多数の半導体ペレットに分割するようにして、半導体ウェ-ハでの取扱い、保管等を容易とし、分割後の表面汚染対策を必要とせず、高耐圧、高信頼の半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 一方の主表面に第1のP型不純物(例えば、アルミ)及び第2のP型不純物(例えば、ボロン)を拡散してP型半導体層9を形成し、メサ溝4によりポジティブベベル形状にすると共に、分割面の高さHを少なくとも30μmとし、メサ溝4部分に表面処理層5を被着した後、複数個の半導体ペレットに分割することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

二つの主表面をもつ一導電型シリコン半導体基板に、少なくとも(1)一方の主表面に固溶度が低く、拡散速度の速い第1の逆導電型不純物、及び固溶度が高く、拡散速度の遅い第2の逆導電型不純物を拡散し、逆導電型半導体層を形成する工程、(2)他方の主表面に高濃度一導電型半導体層を形成する工程、(3)高濃度一導電型半導体層側から接合面よりも深いメサ溝を形成し、そのメサ溝底部から一方の主表面までの逆導電型半導体層を少なくとも30μmとする工程、(4)メサ溝部分に表面処理層を被着する工程、(5)メサ溝底部で分割し、複数個の半導体ペレットを形成する工程、により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 29/91 A ,  H01L 29/91 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭48-082772
  
• 特開昭62-043167
  
• 特開昭63-093153