半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：斉藤武彦 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-502818
公開番号（公開出願番号）：特表平11-508087
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】トレンチゲートパワーダバイス、ロジックトランジスタまたはメモリセル等半導体装置の構造の一部としてドープしたトレンチを形成する方法。トレンチ(3)は、マスク(2)を使用して半導体基板(1)に形成される。トレンチは電極材料(5)が部分的に充填され、トレンチの側壁はマスク(2)で所定位置にドープされる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の構造の一部としてドープしたトレンチを形成する方法において、 (i)トレンチ領域を形成するためマスクを使用して半導体基板にトレンチを形成すること; (ii) a)トレンチに充填しトレンチの内容物の一部を除去して部分的に充填したトレンチを残すか、または b)トレンチに部分的に充填すること;および (iii)マスクを所定位置においてトレンチの側壁をドープすること、よりなる方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 21/265 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 652 B , H01L 21/265 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-085765
特開平1-108762
特開平2-309678

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