特許
J-GLOBAL ID：200903071893461566
容量素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055733
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246082
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体膜を容量絶縁膜とする容量素子の製造方法において、密着層の金属成分の拡散を抑制し、はがれや電気的特性劣化のない容量素子を得ることを目的とする。【解決手段】 支持基板11上に金属または金属酸化物よりなる密着層13を形成する工程と、白金よりなる下部電極14を形成する工程と、金属酸化物よりなる容量絶縁膜15を形成する工程と、上部電極16を形成する工程とを備え、下部電極14を形成する工程が、成膜後で2×109dyn/cm2以下の引っ張り応力の内部応力を有する白金を形成するために基板温度を200°C〜600°Cに設定してスパッタリング法により形成することを特徴とし、緻密な膜質の白金を形成することにより、密着層の金属成分の拡散を抑制し、はがれや電気的特性劣化を生じさせない。
請求項（抜粋）：
支持基板上に形成された金属または金属酸化物よりなり密着層と、同密着層上に形成され、引っ張り応力が2×109dyn/cm2以上である白金よりなる下部電極と、同下部電極上に形成された金属酸化物よりなる容量絶縁膜、および同容量絶縁膜上に形成された上部電極とを備えたことを特徴とする容量素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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