特許
J-GLOBAL ID：200903071893887369
半導体容器及び半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207148
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040689
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 高い周波数の信号を扱う大型半導体デバイスにおいて素子間、素子回路基板間のクロストーク、発振、ノイズなどを低減すること。【解決手段】 キャップ裏面に、基板を伝搬する信号の半波長以下の間隔になるよう多数の突起部を垂下する。
請求項（抜粋）：
vを使用最大周波数、εを基板の誘電率、cを光速として、裏面に相互の間隔が{c/(2vε1/2 )}未満である複数の金属突起部が設けられているキャップと、キャップによって封止される容器本体とよりなることを特徴とする半導体容器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/04 G
, H05K 9/00 Q
