特許

J-GLOBAL ID：200903071894904224

半導体装置

発明者： 西尾 英俊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047750
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】EPROMを有する半導体装置に関し、最終パッシベーション膜の耐湿性、紫外線透過性を向上することを目的とする。【構成】EPROMを有する半導体チップの最終パッシベーション膜の材料として、屈折率が1.48〜1.60、窒素含有濃度が5×1020〜1×1022atms/ccである酸化シリコンを用いることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

EPROMを有する半導体チップの最終パッシベーション膜の材料として、屈折率が1.48〜1.60、窒素含有濃度が5×1020〜1×1022atms/ccである酸化シリコンを用いることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/115 ,  H05H 1/18