特許
J-GLOBAL ID：200903071899661931
MOSトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-126728
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338610
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】電界集中を緩和させ、素子耐圧を向上させたMOSトランジスタを提供する。【構成】第一導電型の半導体基板と反対極性の第二導電型のドリフト部、高濃度の第二導電型でドリフト部の一方の端部から外側に離隔されたソース部、高濃度の第二導電型でドリフト部の一方の端部から内側に離隔されたドレイン部、一方の端部がドレイン部に延在し他方の端部がソース部に延在するゲート酸化膜、一方の端部がドリフト部上に延在し他方の端部がソース部上に延在するゲート電極、一方の端部がドレイン部と離隔されたドリフト部上に延在しゲート電極の一方の端部との間に所望の間隔を形成するドレイン電極、ソース電極、を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板と反対極性の第二導電型で、前記半導体基板の主表面に形成されるドリフト部と、前記ドリフト部よりも高濃度の第二導電型で、前記ドリフト部の一方の端部から外側に離隔されて前記半導体基板の主表面に形成されるソース部と、前記ドリフト部よりも高濃度の第二導電型で、前記ドリフト部の一方の端部から内側に離隔されて前記ドリフト部内に形成されるドレイン部と、前記半導体基板上に形成され、その一方の端部が前記ドリフト部及び前記ドレイン部に延在し他方の端部が前記ソース部に延在するゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に形成され、その一方の端部が前記ドリフト部上に延在し他方の端部が前記ソース部上に延在するゲート電極と、前記ドレイン部にオーミック接触して形成され、その一方の端部が前記ゲート酸化膜の一方の端部に重なると共に前記ドレイン部と離隔された前記ドリフト部上に延在し前記ゲート電極の一方の端部との間に所望の間隔を形成するドレイン電極と、前記ソース部にオーミック接触して形成されるソース電極と、を有することを特徴とするMOSトランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 X
