特許
J-GLOBAL ID：200903071910336932
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346480
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168202
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 比較的高い電圧が印加されるゲート電極と比較的低い電圧が印加されるゲート電極とを有する従来の固体撮像装置は、電気的特性、例えば駆動させる際の閾値電圧が経時的に変動しやすい。【解決手段】 比較的低い電圧が印加されるゲート電極のゲート絶縁膜としてON膜またはONO膜を用い、比較的高い電圧が印加されるゲート電極のゲート絶縁膜として酸化物絶縁膜を用いる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数個のゲート電極であって、印加される電圧の大きさが互いに異なる少なくとも2個のゲート電極を含む複数個のゲート電極と、前記複数個のゲート電極の中で相対的に大電圧が印加されるゲート電極を除いた残りのゲート電極と前記半導体基板との間に介在するON膜またはONO膜からなるゲート絶縁膜と、前記複数個のゲート電極の中で相対的に大電圧が印加されるゲート電極と前記半導体基板との間に介在する電気絶縁性酸化物からなる電気絶縁膜とを有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
5F048AA07
, 5F048AB07
, 5F048AB10
, 5F048AC01
, 5F048AC06
, 5F048BA01
, 5F048BA17
, 5F048BB05
, 5F048BB11
, 5F048BB15
, 5F048BB17
, 5F048BG12
